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半导体光刻技术f(2)准分子激光曝光据国际半导体杂志aaron hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，陶瓷器件，每层厚约λ/4，福州陶瓷器件，控制在0.1埃精度；euv光刻采取新的环境控制，常州陶瓷器件，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。

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光刻机作为整个集成电路制造关键的设备，其设备的性能直接影响到整个微电子产业的发展。目前更的沉浸式光刻机也只有asml、尼康和佳能三家能够生产，单台价格高达几千万美元。尼康的g-line、i-line步进式光刻机（stepper）、投影式光刻机在晶圆厂大量使用。

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