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光刻机/紫外曝光机(mask aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 mask alignment system.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。


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光刻胶污染掩膜板;掩膜板的磨损,光刻机,容易损坏,步进光刻机,寿命很低(只能使用5~25次);容易累积缺陷;上个世纪七十年代的工业水准,绍兴光刻机,已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了,国产光刻机均为接触式曝光,国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。



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