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半导体光刻技术f(2)准分子激光曝光

改善了折反射光学系统的性能

波长为157nm的f2准分子激光器的特点是带宽很窄,绍兴光刻机,cymer公司的产品,其带宽为0.6~0.7 pm,窄带宽改善了折反射光学系统的性能。折反射光学系统的关键是分束器立方体,福州光刻机,它使用caf2材料,能有效地减少束程和系统的体积,大尺寸易碎的caf2一直是157nm曝光的制约因素,现在svgl已展出了12~15英寸的caf2单晶锭,这为制造大数值孔径的折反射分束器设计扫清了道路。




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硅片直径300mm 要适合多代技术的需求

经济利益的驱动是硅片直径由200mm向300mm转移的主要因素,深圳光刻机,300mm的出片率是200mm的2.5倍,单位生产成本降低30%左右。300mm工厂投资为15到30亿美元,光刻机,其中约75%用于设备投资,因此用户要求设备能向下延伸3至4代。300mm片径是从180nm技术节点切入的,这就要求设备在150 nm、130nm,甚至100nm仍可使用。




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