张家港晋宇达电子科技有限公司

半导体光刻技术f(2)准分子激光曝光据国际半导体杂志aaron hand介绍，光源是几个研究单位联合研制的；13nm的波长太短，福州光刻机，几乎所有材料都能吸收它，研制捕获这种光的装置十分困难；反射镜光学表面为非球面，表面形貌及粗糙度小于一个原子；所有光学元件表面涂有达40层的多层反射层，每层厚约λ/4，控制在0.1埃精度；euv光刻采取新的环境控制，常州光刻机，来抑制沾污；短波长，无缺陷掩模制作难度极大；样机采用nm级精度无摩擦的磁悬浮工作台。

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光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，容易损坏，光刻机，寿命很低（只能使用5～25次）；容易累积缺陷；上个世纪七十年代的工业水准，已经逐渐被接近式曝光方式所淘汰了，国产光刻机均为接触式曝光，国产光刻机的开发机构无法提供工艺要求更高的非接触式曝光的产品化。

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